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Samsung acaba de anunciar que está produciendo el primer módulo de DRAM de 12-gigabit basado en su proceso de fabricación de 20 nanómetros, lo que permitiría que los próximos teléfonos cuenten con 6 GB de memoria RAM, lo que derivará en equipos más veloces.

Comparado con el anterior 8 Gb LPDDR4, el nuevo componente es 30 por ciento más rápido, ofreciendo una velocidad a nivel del bus de 4.266 mbps, el doble que los módulos DDR4 de PC; además de consumir 20% menos de energía.

La firma también destacó que el proceso ha conseguido aumentar la productividad hasta 50 por ciento con respecto a la generación previa DDRAM, por lo que podrán atender la gran demanda de mayores número de módulos de memoria de alta velocidad.

De este modo, la compañía surcoreana es la primera en ofrecer módilos de 3 GB y 6 GB, integrando dos o cuatro chips, respectivamente, en un sólo encapsulado. Esto permitirá a los equipos móviles a ofrecer una multitarea más eficiente y un mayor rendimiento con los últimos sistemas operativos móviles.

 

 

“Al iniciar la producción masiva de DRAM móvil de 12Gb LPDDR4 en un modo extremadamente rápido, no sólo estamos ayudando a los integradores a acelerar su paso a la próxima generación de equipos móviles, sino que también proveemos funcionalidades que brindarán a los consumidores de móviles unas experiencias de usuario grandiosas”, señaló Joo Sun Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing en Samsung Electronics.

 

 

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