Intel y Micron innovan en tecnología de memoria

Intel y Micron Technology inician la producción de la tecnología 3D XPoint, una memoria no volátil que tiene el potencial de revolucionar el rápido acceso de cualquier dispositivo, aplicación o servicio a grandes volúmenes de datos.

La proliferación de dispositivos conectados y servicios digitales está generando cantidades enormes de datos nuevos. Para que estos datos sean útiles, deben almacenarse y analizarse rápidamente, lo cual plantea desafíos, ventajas y desventajas para los proveedores de servicios y los constructores de sistemas al momento de diseñar soluciones de memoria y almacenamiento, tales como costo, niveles de potencia y desempeño.

La tecnología 3D XPoint combina las ventajas de desempeño, densidad, potencia, no volatilidad y costo de todas las tecnologías de memoria disponibles en el mercado en la actualidad;  es hasta 1.000 veces más veloz y hasta 1.000 veces más resistente que NAND, y es 10 veces más densa que la memoria convencional.

En virtud del veloz crecimiento del mundo digital– de 4.4 zettabytes de datos digitales creados en 2013 a 44 zettabytes esperados para 2020 – la tecnología 3D XPoint puede convertir esta inmensa cantidad de datos en información valiosa en cuestión de nanosegundos.

Con más de una década de investigación y desarrollo, fue construida desde los cimientos para abordar la necesidad de almacenamiento y memoria no volátil, de alto rendimiento y gran resistencia a un costo asequible. Marca el comienzo de una nueva clase de memoria no volátil que reduce significativamente las latencias, permitiendo que se almacenen muchos más datos cerca del procesador y que se tenga acceso a ellos a velocidades nunca antes vistas para el almacenamiento no volátil.

La innovadora arquitectura de punto de cruce sin transistor crea un tablero de ajedrez tridimensional en el que las celdas de la memoria se colocan en la intersección de las líneas de palabras y las líneas de bits, permitiendo que las celdas se aborden en forma individual. Como resultado, los datos pueden escribirse y leerse en pequeñas dimensiones, dando como resultado un proceso de lectura y escritura más eficiente.

Algunos detalles acerca de la tecnología 3D XPoint:

  • Estructura de matriz de punto de cruce: Conductores perpendiculares conectan 128 mil millones de celdas de memoria empacadas densamente. Cada celda de memoria almacena un solo bit de datos. Esta estructura compacta da como resultado bits de alto desempeño y alta densidad.
  • Apilable: Además de la estructura de matriz de punto de cruz compacta, las celdas de memoria se apilan en varias capas. La tecnología inicial almacena 128Gb por die a lo largo de dos capas de memoria.  Las generaciones futuras de esta tecnología elevan el número de capas de memoria, además de la escalada de tono litográfico tradicional, mejorando aún más las capacidades del sistema.
  • Selector: Se accede a las celdas de memoria o se lee (o escribe) en ellas variando la cantidad de voltaje que se envía a cada selector. De este modo, se elimina la necesidad de transistores aumentando la capacidad al tiempo que se reduce el costo.
  • Celda de conmutación rápida: Con una celda pequeña, un selector de conmutación rápida, una matriz de punto de cruce de latencia baja y un algoritmo de escritura rápida, la celda puede cambiar de estado en forma más veloz que cualquier tecnología de memoria no volátil que existe en la actualidad.